晶圆片测试

领域分类：半导体-晶圆

检测项目：交流参数,功能测试,电学参数,材料特性,直流参数

服务地点：全国

服务背景

晶圆片测试服务产生的核心驱动力在于成本控制和质量保障。

经济动因：芯片的封装成本高昂。通过CP测试在早期筛选出有缺陷的裸片并标记，可以避免对这些不良品进行无效的封装，从而大幅节约成本。
工艺监控：WAT测试通过监控晶圆上测试图形的电学参数（如电阻率、阈值电压等），可以及时发现生产过程中的波动，为工艺工程师提供反馈，确保大批量生产的一致性和稳定性。
高可靠性要求：对于汽车电子、航空航天等对可靠性要求极高的应用领域，晶圆测试还需覆盖三温（高温、常温、低温）测试，以验证芯片在极端环境下的性能。

检测内容

晶圆片测试的内容通常分为两大类，即WAT测试和CP测试，其目标和对象不同。

测试类型	测试对象	主要内容
WAT测试（工艺监控）	晶圆切割道上的专用测试图形（Test Key）	电学参数：电阻率、方块电阻、载流子浓度、阈值电压（Vt）、击穿电压（BVdss）、接触电阻、漏电流等。材料特性：晶向、薄膜厚度、透过率、掺杂浓度均匀性。
CP测试（芯片分选）	晶圆上每一颗独立的裸片（Die）	直流参数：开/短路测试、漏电流、电源电流等。功能测试：通过输入测试向量，验证芯片的逻辑功能是否正确。交流参数：信号传输延迟、建立/保持时间等与时间相关的参数。其他：针对存储单元的内建自测试（BIST）、模拟IP测试、修调（Trimming）等。