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领域分类：电子电器-电子元器件
检测项目：离子清洁度,有损检测,焊点测试,电性能,卤素检测,CT扫描,C-SAM扫描,拉伸性能,寿命测试,编程烧录,外观,耐腐蚀试验,显微分析,振动试验,尺寸,DPA分析,器件质量评估,来料检测,超声扫描,元器件检测,AEC-Q103,开封检测,结构,水质分析,锡须观察,真伪检测,失效分析,张力检测,离子色谱,数码显微镜,AEC-Q104认证,无损检测,RoHS,RoSH检测,禁用物质检测,芯片去层,键合强度,高低温试验,有毒有害物质检测,HCT测试,红墨水试验,可靠性测试,目检检测,老化试验
服务地点：全国
1、稳态湿热
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法103
只测:条件A、B、 C 和D，样品尺寸 ≤W760mm× D780mm×H815mm
电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法103
只测:条件A、B、 C 和D，样品尺寸 ≤W760mm× D780mm×H815mm
2、耐湿
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法106
只测:温度:25 ℃～65℃，湿度:80％RH～100％ RH，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm；不做 低温及振动辅助 循环
电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法106
只测:温度:25 ℃～65℃，湿度: 80％RH～100％ RH，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm；不做 低温及振动辅助 循环
微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法1004.1
只测:温度:25 ℃～65℃，湿度: 80％RH～100％ RH，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm；不做 低温及振动辅助 循环
微电子器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000 1999 MIL-STD-883-1 w/CHANGE 1:2021 方法 1004.7
只测:温度:25 ℃～65℃，湿度: 80％RH～100％ RH，样品尺寸≤W760mm×D780mm ×H815mm；不做 低温及振动辅助 循环
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1021
只测:温度:25 ℃～65℃，湿度: 80％RH～100％ RH，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm；不做 低温及振动辅助 循环
半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至 1999 MIL-STD-750-1B:2022 方法 1021.4
只测:温度:25 ℃～65℃，湿度: 80％RH～100％ RH，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm；不做 低温及振动辅助 循环
3、温度冲击
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法107
只测:条件A和 B，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm
电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法107
只测:条件A和 B，样品尺寸≤W760mm×D780mm ×H815mm
4、高温寿命
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法108
只测: 温度:+25 ℃～+200℃，样 品尺寸≤W760mm ×D780mm× H815mm
电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法108
只测: 温度:+25 ℃～+200℃，样 品尺寸≤W760mm ×D780mm× H815mm
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1032
只测: 温度:+25 ℃～+200℃，样 品尺寸≤W760mm ×D780mm×H815mm
半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至 1999 MIL-STD-750-1B:2022 方法 1032.2
只测: 温度:+25 ℃～+200℃，样 品尺寸≤W760mm ×D780mm×H815mm
半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至 1999 MIL-STD-750-1B:2022 方法 1031.5
只测: 温度:+25 ℃～+200℃，样 品尺寸≤W760mm ×D780mm×H815mm
5、高温存储
高温存储寿命 JESD22-A103E.01:2021
只测:条件A、B、 C 和D，样品尺寸 ≤W760mm× D780mm×H815mm
半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第 6 部分：高温储 存 IEC 60749-6:2017
只测:条件A、B、 C 和D，样品尺寸 ≤W760mm× D780mm×H815mm
6、温度循环
微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法1010.1
只测:条件A和 B，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm
微电子器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000 1999 MIL-STD-883-1 w/CHANGE 1:2021 方法 1010.9
只测:条件A和 B，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm
温度循环 JESD22-A104F.01:2023
只测:条件A、B、 G、H、M和N，样 品尺寸≤W760mm ×D780mm×H815mm
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 25 部分：温度 循环 IEC 60749-25:2003
只测:条件A、B、 G、H、L和M，样 品尺寸≤W760mm ×D780mm×H815mm
7、温度循环（空 气-空气）
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1051
只测:条件A、B 和G，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm
半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至 1999 MIL-STD-750-1B:2022 方法 1051.9
只测:条件A、B 和G，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm
8、稳定性烘焙
微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法1008.1
只测:条件A、B、 C 和D，样品尺寸 ≤W760mm× D780mm×H815mm
微电子器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000 1999 MIL-STD-883-1 w/CHANGE 1:2021 方法 1008.2
只测:条件A、B、 C 和D，样品尺寸 ≤W760mm× D780mm×H815mm
9、凝露试验
基于表面凝露的循环温度-湿度偏置寿命试验 JESD22 A100E:2020
只测: 温度30 ℃～65℃，湿度: 20％RH～98％ RH，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm
10、稳态温度-湿度 偏置寿命
稳态温度-湿度偏置寿命试验 JESD22-A101D.01:2021
只测: 温度25 ℃～85℃，湿度: 20％RH～98％RH，电压：30V～ 1500V；漏电流： 1uA～30.0mA，样 品尺寸≤W590mm ×D595mm× H550mm
半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第 5 部分：稳态温 度湿度偏置寿命试验 IEC 60749-5:2023
只测: 温度25 ℃～85℃，湿度: 20％RH～98％ RH，电压：30V～ 1500V；漏电流： 1uA～30.0mA，样 品尺寸≤W590mm ×D595mm×H550mm
11、低温存储寿命
低温存储寿命 JESD22-A119A:2021
只测:条件A、B 和C，样品尺寸≤ W760mm×D780mm ×H815mm
12、高温反向偏压
温度、偏置、工作寿命 JESD22-A108G:2022 4.2.3.3
只测: 25℃～200 ℃；电压：5V～ 2000V;漏电流： 1uA～30.0mA，样 品尺寸≤W590mm ×D595mm× H550mm
13、高温栅偏
温度、偏置、工作寿命 JESD22-A108G:2022 4.2.3.4
只测: 温度25 ℃～200℃；电 压：-60V～60V; 漏电流：1uA～ 1.0mA，样品尺寸 ≤W590mm× D595mm×H550mm
14、环境应力筛选
电子产品环境应力筛选方法 GJB 1032A-2020
只测:温度 -55 ℃～+150℃，样 品尺寸≤W760mm ×D780mm×H815mm
15、老炼
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1038
只测:二极管；温 度 25℃～175℃， 电压：5V～ 2000V; 漏电流： 1uA～30.0mA；样 品尺寸≤W590mm ×D595mm××D595mm× H550mm
半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至 1999 MIL-STD-750-1B:2022 方法 1038.5
只测:二极管；温 度 25℃～175℃， 电压：5V～ 2000V; 漏电流： 1uA～30.0mA；样 品尺寸≤W590mm×D595mm× H550mm
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1039
只测:晶体管；温 度 25℃～175℃， 电压：5V～ 2000V; 漏电流： 1uA～30.0mA；样 品尺寸≤W590mm ×D595mm× H550mm
半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至 1999 MIL-STD-750-1B:2022 方法 1039.4
只测:晶体管；温 度 25℃～175℃， 电压：5V～ 2000V; 漏电流： 1uA～30.0mA；样 品尺寸≤W590mm ×D595mm× H550mm
16、老炼和寿命
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1042
只测:IGBT和 MOSFET；条件A、 B 和D；电压： 60V～60V; 漏电 流：1uA～ 30.0mA；样品尺 寸≤W590mm× D595mm×H550mm
半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至 1999 MIL-STD-750-1B:2022 方法 1042.4
只测:IGBT和 MOSFET；条件A、 B 和D；电压： 60V～60V; 漏电 流：1uA～ 30.0mA；样品尺 寸≤W590mm× D595mm×H550mm
17、间歇工作寿命
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1037
只测: 温度： 25 ℃～200℃；电流 ≤15A；电压≤ 60V，样品尺寸≤ W640mm×D575mm ×H1000mm
半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至 1999 MIL-STD-750-1B:2022 方法 1037.3
只测: 温度： 25 ℃～200℃；电流 ≤15A；电压≤ 60V，样品尺寸≤ W640mm×D575mm ×H1000mm
半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至 1999 MIL-STD-750-1B:2022 方法 1036.3
只测: 温度： 25 ℃～200℃；电流 ≤15A；电压≤ 60V，样品尺寸≤ W640mm×D575mm ×H1000mm
18、功率循环
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 34 部分：功率 循环 IEC 60749-34:2010
只测: 温度：25 ℃～200℃；电 流：≤1000A；电 压：≤10V，样品 尺寸≤W840mm× D300mm×H160mm
| 产品名称 | 检测标准 | 检测项目 |
| GJB 360B-2009 | GJB 360B-2009 | GJB 360B-2009 |
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目前，中科晟在全国规划设立了8个检测实验室和办事处，分布于重庆、成都、东莞、深圳、广州、上海、无锡、西安等十余个城市，以确保为客户提供从试验设备需求到试验技术服务一体化的环境与可靠性试验服务解决方案
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