单管模块检测

让芯片间歇流过电流产生间隙发热功率，从而使芯片温度波动。功率循环周期一般为3~5秒。功率循环对IGBT模块损伤的机理，主要是铜键合线热膨胀系数与芯片表面铝层热膨胀系数不同，芯片热膨胀系数与DBC板热膨胀系数不同导致。损伤的结果主要是键合线脱落、断裂、芯片焊层分离。

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