化学机械抛光液配方分析_机构动态_苏州禾川化学技术服务有限公司

化学机械抛光液配方分析

发布时间：2013-10-19 12:48:39

化学机械抛光液配方分析

本公司供应化学机械抛光液配方成分组成分析，品牌苏州禾川研发中心。参数为：PH：氢氧化钠 0~2% PH调节剂。质量保证，欢迎咨询洽谈。

20世纪60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。随着电子产品表面质量要求的不断提高, 表面平坦化加工技术也在不断发展，基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG( spin-on-glass) 、低压CVD( chemical vapor deposit) 、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC艺中获得应用, 但均属局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等, 不能满足特征尺寸在0. 35 μm 以下的全局平面化要求。

抛光液是CMP 的关键要素之一, 抛光液的性能直接影响抛光后表面的质量. 抛光液一般由超细固体粒子研磨剂( 如纳米SiO2、Al2O3 粒子等) 、表面活性剂、稳定剂、氧化剂、螯合剂、去离子水混合后组成, 固体粒子提供研磨作用, 化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。

采用透射电镜或扫面电镜对经不同抛光液处理的硅片样品进行观测, 以确定研磨液的粒形、粒貌和粒径大小对研磨性能的影响。用DLS 光散射仪表征多配抛光液的粒径。

化学机械抛光液配方1：（仅供参考）

成分含量成分说明

二氧化硅胶乳 30~50% 磨料，粒径为110nm

氢氧化钠 0~2% PH调节剂

脂肪醇聚氧乙烯醚 0.01~0.6% 表面活性剂

增稠剂 0~0.3%

去离子水余量

化学机械抛光液配方2：（仅供参考）

成分含量成分说明

二氧化硅 30~50% 粒径为120nm、150nm、200nm