硅晶片抛光液成分分析、配方剖析

硅晶片抛光液成分分析、配方剖析

    禾川技术的化工材料分析专门从事硅晶片抛光液配方研发和配方分析，提供基础配方，辅助企业和科研机构推进研发进度。禾川技术利用成熟的分离技术，先进大型光谱仪器（红外，核磁，气质联用，液质联用，TGA, DSC等），完善的图谱数据库，前沿专家图谱的解析，强大的原材料库，对化工材料定性定量分析，以及研发中具体成分的验证，从而缩短研发周期，推进整个研发进度。

抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，具有良好的去油污，防锈，清洗和增光性能，并能使金属制品超过原有的光泽。本产品性能稳定、无毒，对环境无污染等作用，光液使用方法：包括棘轮扳手、开口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺丝刀等，铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后，再使用抛光剂配合振动研磨光饰机，滚桶式研磨光式机进行抛光；1抛光剂投放量为（根据不同产品的大小，光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置），2：抛光时间：根据产品的状态来定。3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

碱性硅晶片抛光液A，它的PH值范围为8~13，粒径为15nm~150nm，它是由磨料、PH调节剂、表面活性剂和水混合组成。该抛光液是碱性，不腐蚀污染设备，容易清洗；硅抛光速率快，平整性好，表面质量好；使用不含金属离子的螯合剂，对有害离子的螯合作用增强；采用非离子表面活性剂，能对磨料和反应产物从衬底表面有效的吸脱作用，抛光后易于清洗；对环境无污染；抛光液具有良好的流动性，提高质量传输的一致性、降低表面的粗糙度。

硅晶片抛光液配方：（仅供参考）

成分                含量      成分说明

二氧化硅胶乳       30~50%  磨料，粒径为110nm

氢氧化钠            0~2%       PH调节剂

脂肪醇聚氧乙烯醚 0.01~0.6%    表面活性剂

增稠剂             0~0.3%

去离子水            余量

硅晶片抛光液配方：（仅供参考）

成分      含量          成分说明

二氧化硅 30~50%     粒径为120nm、150nm、200nm

有机碱   1~5%           PH调节剂

OP-10    0.1~0.5%        分散剂

去离子水 余量

在相同磨料浓度下150 nm 纳米二氧化硅溶胶的抛光速率最高，达到2.0 mg/min；在相同颗粒数目下200 nm 纳米二氧化硅溶胶的抛光速率最高，达到3.0 mg/min。

以上是硅晶片抛光液配方成分分析以及配方检测的详细信息，由苏州禾川化工材料有限公司自行提供，如果您对硅晶片抛光液配方成分分析以及配方检测的信息有什么疑问，请与我公司进行进一步联系，获取硅晶片抛光液配方成分分析以及配方检测的更多信息。

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