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仪器信息网 3i讲堂 基于最新FE-SEM JSM-IT810实现的半导体前沿分析
[报告]基于最新FE-SEM JSM-IT810实现的半导体前沿分析
开始时间: 2026-10-20 14:30
主讲老师: 成华秋 | 市场部技术支持
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报告相关会议
第七届半导体材料检测与器件分析新技术网络研讨会
2026年10月20日 09:00 -- 10月22日 18:00
当前,半导体产业正处于AI驱动的深刻变革周期中。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,已成为全球科技产业竞争的战略制高点,也是我国培育新质生产力的核心领域。2026年,预计第三代半导体功率及射频电子产值增速将达15%以上,中国企业碳化硅材料已占全球供给约50%,进入全球第一梯队。与此同时,半导体分析检测的定位正从产业链末端的质量把关环节,升级为贯穿设计、制造、封测全流程的核心支点。芯片集成度不断提升、器件结构日趋复杂、新材料新工艺加速迭代,检测与失效分析作为保障芯片品质稳定、运行可靠的关键技术,其重要性日益凸显。10月20-22日,仪器信息网将联合第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)举办第七届半导体材料与器件分析检测新技术网络研讨会。本届会议围绕已确定的四大专场展开,深入探讨半导体检测技术从标准引领、材料结构表征、成分与微污染控制,到器件性能、可靠性与失效分析的全链条技术进展与创新应用。分享有礼!(需要邀请新用户,介意请勿参加)邀请8位新用户报名得纸质书一本《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术 第2版》邀请5位新用户报名得纸质书一本《半导体的检测与分析(第2版)》或《图解入门 半导体制造工艺基础精讲(原书第4版)》(二选一) 添加微信(15718850776)领取,截至时间10月22日12:00
报告介绍
报告介绍:
随着半导体工艺节点不断微缩,关键尺寸测量、缺陷分析及材料评估的精度要求日益严苛。本次网络研讨会将聚焦JEOL最新FE-SEM JSM-IT810,深入解析其如何助力半导体前沿分析。 报告将重点介绍JSM-IT810在自动化与高重现性方面的突破:通过SEM自动调整包与自动测长功能,有效消除人为操作偏差,实现光刻图案线宽及焊盘的高精度测量。在缺陷与失效分析方面,将展示其与缺陷复检装置的联动、CP断面加工及平面剥离前处理技术,并结合Nanoprobing、EBAC、EBIC、CL及SEM-Raman等联用技术,呈现从缺陷定位、电学特性分析到材料应力评估的全方位表征方案。 此外,JSM-IT810的Neo Action自动测试与Neo Comfort耐环境设计,将为洁净室环境下的稳定观察提供强大支撑,为半导体失效分析的高效化与高精度化提供综合性表征平台。
主讲老师:
成华秋
成华秋,现任日本电子市场部技术支持。毕业于中国科学院理化技术研究所,随后加入捷欧路(北京)科贸有限公司,长期从事扫描电子显微镜和聚焦离子束显微镜等仪器的应用和研究工作,在纳米材料、新能源电池、化学催化、半导体材料等领域具有丰富的经验。目前主要负责不同型号的电镜产品以及制样设备的市场推广和技术支持工作。
参会说明:

一、报名贴士(敷衍填写将不予审核)

  • 1、请认真填写各项,您的手机号为您的参会凭证。

  • 2、报名后,参与直播可获取会后资料、加交流群。

二、参会方式(手机电脑均可参会)

  • 1、直播前一天,助教会统一审核。审核通过后,会发送参会链接给报名手机号。

  • 2、如无法正常参会,请拨打页面下方电话,帮您解决

三、会议资料(交流群,会后视频)

  • 1、报名并参与直播可与专家问答交流。会议群会在直播当天展示,会议ppt无法提供。

  • 2、关注【仪器信息网微服务】,微信提醒会议进度,便捷查阅近期会议及视频回放。

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