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“第三代半导体材料器件及检测技术发展和应用”主题网络研讨会
会议时间：2021年12月28日 09:30 -- 12月28日 17:00
| 票务类型 | 参会人数量 |
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| 培训注册 ：500元 日期：6月9日前 |
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大会注册【在读学生】：700元 日期：6月10日—11日 |
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大会注册【非在读学生】：1500元 日期：6月10日—11日 |
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会议时间：12月28日 09:30 -- 12月28日 17:00
第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料，其具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。作为半导体领域的新秀，第三代半导体被寄予厚望，甚至被写入“十四五”规划中。但是第三代半导体的发展仍有很多技术问题亟待解决。一方面，第三代半导体器件SiC 或GaN的技术大大扩展了器件参数分布的区间，覆盖了以往没有出现过的高压高速区域，对器件的测试工具提出非常严苛的挑战；另一方面，第三代半导体材料外延等方面，如何降低衬底缺陷，提高良率，做到大尺寸、低成本等问题也需要尽快解决。
基于此，仪器信息网拟于2021年12月28日举办“第三代半导体材料、器件及检测技术发展和应用”主题网络研讨会，依托“网络讲堂”栏目，邀请业内专家以及厂商技术人员参与本次网络研讨会，就第三代半导体检测技术与应用等话题共同探讨，为广大第三代半导体从业者、检测人员和专家学者提供一个交流的空间。
主办单位：仪器信息网
我要参会
第三代半导体氮化镓HEMT功率器件制造与检测若干关键技术
黄火林
大连理工大学 教授
SiC MOSFET功率循环测试技术的挑战与分析
邓二平
合肥工业大学 教授
“双碳目标”下新型电力系统对宽禁带半导体功率器件的挑战与机遇
田鸿昌
中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人
我要参会
半导体仿真技术在宽禁带半导体器件领域中的应用
张紫辉
河北工业大学 教授
宽禁带半导体微纳尺度光电性质的表征方法和装备研究
刘争晖
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师
分立碳化硅器件的性能表征
邵伟华
南京工程学院 讲师
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本次会议由中国水产科学研究院主办，若无法参会，请直接联系中国水产科学研究院
联系人：杨臻
联系电话：010-6867124 158 0116 9739
