太阳辐射

让芯片间歇流过电流产生间隙发热功率，从而使芯片温度波动。功率循环周期一般为3~5秒。功率循环对IGBT模块损伤的机理，主要是铜键合线热膨胀系数与芯片表面铝层热膨胀系数不同，芯片热膨胀系数与DBC板热膨胀系数不同导致。损伤的结果主要是键合线脱落、断裂、芯片焊层分离。

可用设备：整机可检测工位为3通道×4位=12位，功率加热电流：10 A~3000 A,测试电压范围：0~±5.000 mV,分辨率0.1 mV

广东中科晟测控技术有限公司（简称：中科晟），创立于 2014 年，是一家专注于环境与可靠性检测设备及解决方案、环境与可靠性检测服务及集成电路测试服务提供商。

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