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半导体技术的飞速发展,促使集成电路向着高性能、高集成度、高可靠性的发展。随着先进封装技术不断发展,例如2.5D转接板技术、3D堆叠技术,这些复杂的封装结构也对芯片的无损检测提出了新的挑战。
与此同时,芯片集成度越来越高,制程与尺寸进一步缩小,常规的工业级X-ray已经显得力不从心。为了更好地服务客户,提高无损检测的准确性,CTI华测检测引入了蔡司最前沿的亚微米X射线扫描显微镜的Xradia 630 Versa。

xradia 630 versa机台整体图

xradia 630 versa机台内部实拍
最高空间分辨率:0.45um,最小体素达40nm;
能量范围:30kV-160kV,功率最高25W;
样品规格:50*100*50mm 25kg(max);
优点
两级放大技术,在大工作距离下仍可以保证样品亚微米级分辨率成像;
垂直拼接,实现大样品高分辨率整体扫描。
X射线基于透过样品的X射线形成图像,吸收射线越多的位置成像越暗,如果较多射线透过样品则图像较亮。密度和厚度越大吸收射线越多,通常情况下,元素周期表中原子序数越高的元素吸收X射线的能力越强,可区分出原子序数相差较大的元素。

机台成像原理
通过在扁平样品长边方向采集较少投影张数,短边方向采集较多投影张数得到高质量图像。

一个完整的封装样品同时包含有机和无机材料,由于成像原理的限制,传统2.5D不能够很好的同时兼顾两者的成像,而Zeiss Xradia 630 Versa配套多种滤光片用来辅助成像,可以实现保证分辨率的情况下,同时保证样品不同材质的清晰成像。
同时系统配备强大的自动漂移矫正、射线硬化去除等算法手段,确保高质量输出图像。
因此除了在电子设备与半导体封装的应用外,还可以应用在生物、新能源、地质等领域,保证测试样品的材质可以横跨从无机材料到有机材料。

在电子设备与半导体封装的应用
非破坏情况下,对样品进行断层分析;
对2.5/3D和扇出型封装进行结构分析,工艺开发;
分析印刷电路板,以实现逆向工程;
在非破坏的情况下,对内部亚微米级的成像进行观察、定位异常;
可以代替物理切片或辅助物理切片进行定位。

显示2.5D封装中C4 bumpTSV和铜柱microb

智能手机控制板中接疲劳裂纹

指纹传感器设备中缺陷铜柱焊针可视图

非破坏情况下,对样品进行断层分析结果图
此次引入蔡司Xradia 630 Versa,不仅提升了实验室的检测能力,也为客户提供了更全面、更精准的解决方案。
CTI华测检测拥有专业的技术团队,可以根据客户的产品测试需求,从方案制定、测试硬件设计、硬件制作、测试及验证等全方位服务,可以为您提供一站式解决方案。
CTI华测检测还可以提供全面的芯片性能检测,可靠性验证,失效分析等服务。
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